Лазер для резки полупроводниковых пластин Основные характеристики и технические параметры: Длина волны лазера: 1.064 ?m Точность скрайбирования: ?±10 ?m Максимальная толщина скрайбирования: 1.2 мм Ширина скрайбирования: ?50 ?m Частота повторения лазерных импульсов: 200?50 кГц Максимальная скорость скрайбирования: 120 мм/с Максимальная мощность лазера: ?50 Вт Размер рабочего полотна: 350?350 мм Источник электроэнергии: 380В?220В?/ 50Гц/ 5KVA Способ охлаждения: снаружи установлена (интегрированная) система циркуляционного гидроохлаждения с постоянной температурой воды. Рабочий стол: 2 камеры воздушного разрежения, 2 Т-образных станции, работающих по очереди. Режим управления: цифровой/обычный: два режима работы: ручной и автоматический. В автоматическом режиме работы можно производить автоламинирование. При использовании ручного режима рабочие осуществляют ламинирование вручную.
Кран шаровый трехходовой с горизонтальным расположением патрубка
Корпус 12Х18Н9ТЛ,шар 14Х17Н2
Рабочая t до 100 С.
Среда-вода,сусло,бражка,барда,нефтепродукты и другие среды.
Давление 1,0 Мпа
Направление потока жидкости: лево,право, на проток.
Контент этого раздела создают пользователи Интернета. Компания «МФЗ» лишь предоставляет площадку, содействуя развитию отечественной промышленности.